Infineon BFS480

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET-транзистора Infineon BFS480.

Описание

Infineon BFS480 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой SuperJunction технологии (CoolMOS™). Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, Forward, Half-Bridge), а также в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC).

Ключевые преимущества BFS480:

• Высокое напряжение: Рассчитан на работу до 800 В, что делает его идеальным для сетевого питания (85-265 В AC).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает низкие коммутационные потери и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Технология CoolMOS: Отличается отличным соотношением Rds(on) к заряду затвора, что является мерой эффективности.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности
• Коррекция коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и промышленное оборудование

Технические характеристики

Вот основные параметры транзистора (значения могут незначительно отличаться в зависимости от даташита и партии):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | МОП-транзистор с обогащением | | Технология | SuperJunction (CoolMOS) | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 800 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 11 А | | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 44 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0,28 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 5.5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типичное 4.0 В | | Максимальное напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±30 В | Не превышать! | | Заряд затвора (Qg) | ~ 50 нКл | При Vgs = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 22 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 65 нс | | | Корпус | TO-220FP (FullPak / Isolated) | Пластиковый корпус с изолированной металлической подложкой, не требующей изолирующей прокладки. | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

BFS480 является частью семейства Infineon CoolMOS. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей подбираются по ключевым параметрам: напряжение, ток, сопротивление Rds(on), заряд затвора и корпус.

1. Прямые аналоги и аналоги в других корпусах от Infineon

• SPA11N80C3 - Очень близкий аналог от Infineon в корпусе TO-220 (не изолированный). Параметры почти идентичны.
• IPP60R280CP / IPP60R280C6 - Аналоги из семейства CoolMOS C3 и C6 в корпусе TO-220 FullPak (аналог TO-220FP).
• В семействе CoolMOS серии C7 или CP можно найти более современные аналоги с лучшими характеристиками, например, IPP60R185C7 (с меньшим Rds(on)).

2. Совместимые модели / Аналоги от других производителей

Следующие транзисторы имеют схожие характеристики и могут быть использованы в качестве замены (перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом!):

• STMicroelectronics:
  • STP11NK80Z - N-канальный 800В / 11А / Rds(on) ~0.32 Ом (TO-220)
  • STW11NK80Z - Аналогичный, но в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N80 - SuperFET MOSFET, 800В / 11А / Rds(on) ~0.32 Ом (TO-220)
• Vishay:
  • IRFB11N80A - 800В / 11А / Rds(on) ~0.30 Ом (TO-220)

3. Ключевые параметры для поиска аналога

При поиске замены для BFS480 ориентируйтесь на следующие критерии:

1. Напряжение Vdss: 800 В.
2. Ток Id: не менее 11 А.
3. Сопротивление Rds(on): примерно 0.28 - 0.35 Ом.
4. Корпус: TO-220FP (или стандартный TO-220, если изоляция не критична).
5. Технология: SuperJunction / SuperMOS / SuperFET.

Важные замечания

1. Проверка даташита: Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (dataheet) от Infineon для конкретного применения, так как в разных версиях прошивок параметры могут незначительно отличаться.
2. Корпус TO-220FP: Главное преимущество этого корпуса — встроенная электрическая изоляция между кристаллом и радиатором. Это позволяет крепить транзистор к радиатору без слюдяной прокладки, что улучшает тепловые характеристики. Если вы заменяете его на транзистор в обычном TO-220, необходимо использовать изолирующую прокладку.
3. Цепь затвора: Для управления MOSFETами с высокой скоростью переключения очень важна правильная разводка PCB и использование низкоомного драйвера затвора. Рекомендуется использовать резистор в затворе (например, 10-100 Ом) для подавления паразитных колебаний.

Надеюсь, эта информация была полезна