Infineon Bfp196e6327htsa1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon BFP196E6327HTSA1.

Описание

BFP196E6327HTSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор с обеднением (Depletion Mode), предназначенный для работы в диапазоне СВЧ (сверхвысоких частот). Ключевая особенность транзисторов с обеднением (также известных как "деплетионные" или "нормально-открытые") в том, что они проводят ток при нулевом напряжении на затворе. Для их закрытия требуется подать отрицательное напряжение затвор-исток.

Этот компонент оптимизирован для применений, где требуется высокая линейность и низкий уровень шума, например:

• Усилители мощности (Power Amplifiers) в коммуникационном оборудовании.
• Смесители (Mixers) и гетеродины (Oscillators).
• Буферные каскады в высокочастотных схемах.
• Приложения CATV (кабельное телевидение) и ISMOB (промышленные, научные и медицинские диапазоны).

Транзистор выполнен в современном, миниатюрном и экранированном корпусе TSFP-4 (или SOT-343), что обеспечивает хорошие высокочастотные характеристики и защиту от внешних воздействий.

Технические характеристики

Вот основные технические параметры при типичных условиях (если не указано иное):

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MESFET, режим обеднения (Depletion) | --- | | Корпус | TSFP-4 (SOT-343) | Экранированный, 4 вывода | | Напряжение сток-исток | +12 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение затвор-исток | -5 В ... +1 В | Диапазон рабочего напряжения | | Ток стока (I_DSS) | 70 - 140 мА | V_DS = 3 В, V_GS = 0 В | | Крутизна (g_fs) | 80 - 160 мСм | V_DS = 3 В, V_GS = 0 В | | Напряжение отсечки (V_p) | -1.5 ... -0.4 В | V_DS = 3 В, I_D = 1 мА | | Мощность рассеяния | 360 мВт | При T_a = 25°C | | Рабочая температура | -65 °C ... +150 °C | --- | | Коэф. шума (F) | ~1.5 дБ | Типичное значение на 2 ГГц | | Коэф. усиления (G_1dB) | ~13 дБ | Типичное значение на 2 ГГц | | Выходная мощность (P_1dB) | ~18 дБм | Типичное значение на 2 ГГц | | Входная/Выходная ёмкость | C_iss ~ 0.65 пФ, C_rss ~ 0.09 пФ | --- |

Примечание: Для проектирования высокочастотных схем крайне важно использовать официальные даташиты (datasheet) и S-параметры от Infineon, так как характеристики сильно зависят от рабочей точки и частоты.

Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор является частью семейства Infineon, и у него есть несколько вариантов маркировки и близких аналогов.

Прямые парт-номера и аналогичные модели от Infineon:

• BFP196 — базовое название семейства.
• BFP196E6327 — полный порядковый номер, где "E6327" часто относится к варианту упаковки (Tape & Reel).
• BFP196WH6327XTSA1 — ещё один полный номер для заказа, который может указывать на тот же самый компонент или его версию с особыми условиями поставки.

Совместимые / Альтернативные модели от других производителей:

Прямых 100% аналогов в одном корпусе с идентичными характеристиками может не быть, но по типу (N-канальный Depletion MESFET) и назначению можно рассматривать следующие модели:

• Qorvo (ранее TriQuint) TGF2023-2-01 — очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
• Microchip (ранее M/A-COM) MA4F202 — аналогичный деплетионный FET.
• NXP (ранее Freescale) BF1101 — транзистор похожего назначения, но в другом корпусе (SOT-143).
• CEL (California Eastern Laboratories) NE76118 — ещё один вариант деплетионного MESFET.

Важные замечания по совместимости и замене

1. Режим обеднения (Depletion Mode): Это не стандартный MOSFET (режим обогащения), который используется в большинстве цифровых и силовых схем. Замена на обычный MOSFET невозможна без кардинального пересмотра схемы смещения.
2. Корпус: При поиске аналога обязательно обращайте внимание на корпус (TSFP-4 / SOT-343). Многие аналогичные транзисторы выпускаются в корпусах SOT-143, которые имеют схожие размеры, но другое расположение выводов.
3. S-параметры: Для СВЧ-устройств прямое сравнение по постоянному току недостаточно. Необходимо сравнивать S-параметры на рабочей частоте вашей схемы (коэффициент усиления, коэффициент шума, стабильность и т.д.).
4. Смещение: Не забывайте, что для работы этого транзистора требуется источник отрицательного напряжения смещения на затворе.

Вывод: BFP196E6327HTSA1 — это высокочастотный транзистор для специфических применений. При поиске замены необходимо тщательно сравнивать не только DC-характеристики, но и высокочастотные параметры, а также схему включения. Всегда рекомендуется обращаться к официальной документации производителя.