Infineon BFN16

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для биполярного NPN-транзистора Infineon BFN16.

Описание

BFN16 — это кремниевый NPN-транзистор в маломощном SMD-корпусе SOT-23. Он разработан для применений, требующих высокого коэффициента усиления по току (hFE) и низкого напряжения насыщения.

Этот транзистор является частью портфолио Infineon для универсальных усилительных и переключающих задач в низковольтных и слаботочных схемах. Благодаря своим характеристикам он идеально подходит для использования в качестве усилителя, драйвера для маломощных реле, светодиодов или других транзисторов, а также в ключевом режиме в цифровых схемах.

Ключевые особенности:

• Высокий коэффициент усиления (hFE): До 630 при токе 2 мА, что делает его эффективным для усиления слабых сигналов.
• Низкое напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (VCE(sat)): Всего 90 мВ (тип.) при IC = 10 мА, что минимизирует потери мощности в ключевом режиме.
• Малый корпус SOT-23: Подходит для компактных печатных плат.
• Непрерывный ток коллектора (IC): До 100 мА, что достаточно для управления многими периферийными устройствами.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

Параметры, которые нельзя превышать ни при каких условиях.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение Коллектор-Эмиттер | V_CEO | 40 | В | | Напряжение Коллектор-База | V_CBO | 60 | В | | Напряжение Эмиттер-База | V_EBO | 5 | В | | Непрерывный ток коллектора | I_C | 100 | мА | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 200 | мА | | Рассеиваемая мощность (при T_amb ≤ 25°C) | P_tot | 250 | мВт | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 | °C | | Температура хранения | T_stg | от -55 до +150 | °C |

Электрические характеристики (Typical/Standard Conditions)

Характеристики, измеренные при стандартных условиях (обычно T_amb = 25°C, если не указано иное).

| Параметр | Обозначение | Условия тестирования | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя Коллектор-Эмиттер | V_(BR)CEO | I_C = 1 мA, I_B = 0 | 40 | В | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) | I_C = 10 мA, I_B = 0.5 мA | 90 (тип.) | мВ | | Статический коэффициент усиления по току | h_FE | V_CE = 1 В, I_C = 2 мA | 240 - 630 | - | | | | V_CE = 1 В, I_C = 10 мA | 180 - 460 | - | | | | V_CE = 1 В, I_C = 100 мA | 60 - 180 | - | | Граничная частота усиления по току | f_T | V_CE = 1 В, I_C = 10 мA, f = 100 МГц | 250 (тип.) | МГц |

Парт-номера и маркировка

• Полное название производителя: BFN16
• Корпус: SOT-23
• Маркировка на корпусе: "P1" или "p1" (строчными буквами).
• Заказной номер (Ordering Code): Часто поставляется в виде BFN16E6437 или аналогичного, где суффикс указывает на тип упаковки (например, на ленте и в катушке).

Прямые аналоги и совместимые модели

BFN16 является аналогом многих популярных малосигнальных NPN-транзисторов. Замена обычно возможна без изменения схемы, но для критичных применений лучше сверяться с даташитами.

Практически полные аналоги (с очень похожими характеристиками):

• BC847B (от NXP, ON Semiconductor, Diodes Inc. и др.) - самый популярный и распространенный аналог.
• BC847BN - версия в корпусе SOT-23.
• MMBT4401 (ON Semiconductor) - имеет схожие предельные напряжения, но обычно чуть ниже коэффициент усиления.
• 2SC2712 (от различных производителей)
• 2N3904 в SMD-корпусе (например, MMBT3904) - классический транзистор, очень близкий по параметрам.

Другие популярные NPN-транзисторы в корпусе SOT-23 (проверять распиновку и характеристики!):

• BC817-25 / BC817-40 (серия с разным коэффициентом усиления)
• PMBT3904 (NXP)
• FMMT617 (Diodes Inc.)

Важное примечание по замене: Несмотря на взаимозаменяемость, всегда рекомендуется проверять:

1. Распиновку (pinout) корпуса SOT-23. У подавляющего большинства, включая BFN16, она стандартная: (1 - База, 2 - Эмиттер, 3 - Коллектор).
2. Класс усиления (hFE group): BFN16 имеет высокий коэффициент усиления, аналогичный группе "B" у транзисторов серий BC847/BC817. Если в вашей схеме критично точное значение hFE, следует подбирать аналог из той же группы.
3. Граничную частоту (fT), если транзистор работает в ВЧ-схемах.

Типовые области применения

• Усиление слабых сигналов (аудио, датчики) в предварительных каскадах.
• Ключи для управления светодиодами, реле, небольшими двигателями.
• Драйверы для интерфейсных линий в цифровых схемах (например, для подачи сигнала на затвор более мощного MOSFET).
• Инверторы и логические элементы.
• Генераторы сигналов.

Для получения самой точной и актуальной информации всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на сайте Infineon.