Infineon BFG195

Infineon BFG195
Артикул: 562197

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BFG195

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BFG195, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon BFG195/W — это высокочастотный NPN биполярный транзистор, изготовленный по передовой SiGe:C (кремний-германиевый) технологии с гетеропереходом (HBT). Изначально разработанный компанией Philips (позже NXP), он теперь производится и поддерживается Infineon.

Ключевые особенности и области применения:

  • Назначение: Предназначен для работы в усилителях мощности, драйверах и смесителях в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ / UHF) и микроволновых частот.
  • Высокая частота: Благодаря технологии SiGe:C, транзистор обладает очень высокой граничной частотой (fT), что делает его идеальным для приложений в диапазоне 1-3 ГГц и выше.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает высокий коэффициент усиления по мощности на рабочих частотах, что позволяет строить эффективные и компактные каскады усиления.
  • Низкий шум: Обладает хорошими шумовыми характеристиками, что важно для входных каскадов приемной аппаратуры.
  • Основные сферы применения:
    • Усилители мощности и драйверы в оборудовании мобильной связи (GSM, DCS, UMTS/LTE).
    • Микроволновое радиочастотное оборудование.
    • Спутниковые приемники (например, LNB - малошумящие блоки).
    • Системы беспроводной связи (Wi-Fi, Bluetooth модули).

Корпус: SOT343 (также известный как SOT-143), который имеет 4 вывода и отличается малыми размерами, что важно для ВЧ-монтажа.


Технические характеристики (кратко)

Приведены типовые значения при комнатной температуре (25°C), если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | NPN | SiGe:C HBT | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCEO | 12 В | - | | Коллектор-База напряжение | VCBO | 20 В | - | | Эмиттер-База напряжение | VEBO | 2.5 В | - | | Постоянный ток коллектора | IC | 50 мА | - | | Рассеиваемая мощность | Ptot | 250 мВт | Tamb ≤ 25°C | | Граничная частота усиления | fT | ~ 8.5 ГГц | VCE = 2 В, IC = 10 мА | | Максимальная частота генерации | fmax | ~ 25 ГГц | VCE = 2 В, IC = 10 мА | | Коэф. шума | NF | ~ 1.2 дБ | f = 2 ГГц, VCE=2В, IC=10мА | | Коэф. усиления по мощности | | | | | • На 900 МГц | Gps | ~ 19 дБ | VCE = 5 В, IC = 20 мА | | • На 1.8 ГГц | Gps | ~ 15 дБ | VCE = 5 В, IC = 20 мА | | • На 2.4 ГГц | Gps | ~ 13 дБ | VCE = 5 В, IC = 20 мА | | Крутизна | hfe | 80 - 160 | VCE = 2 В, IC = 10 мА |


Парт-номера и прямые аналоги

Поскольку BFG195 является очень популярной моделью, у него есть множество прямых или очень близких аналогов от других производителей. Внимание: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, так как в разных ревизиях могут быть незначительные отличия в характеристиках.

Прямые аналоги (с тем же порядком выводов):

  • BFG195W (актуальное обозначение в корпусе SOT343)
  • BFG195 (устаревшее обозначение)
  • BFR193W (очень близкий аналог, часто взаимозаменяем)
  • BFR193
  • BFR92AW (также близкий аналог)
  • BFR92A
  • 2SC5508 (от Toshiba)
  • 2SC5664 (от Toshiba)

Другие популярные ВЧ-транзисторы в похожем классе:

  • MMBT918 / MMBT918LT1 (от ON Semiconductor)
  • BFP193W (от Infineon)
  • BFP420 (от Infineon)
  • MRF5812 (от NXP)

Совместимые модели и замена

Понятие "совместимость" зависит от конкретной схемы. В большинстве случаев для замены BFG195 подходят:

  1. Наиболее рекомендуемые и прямые замены:

    • BFR193W / BFR193 — практически полные аналоги по характеристикам и цоколевке.
    • BFR92AW / BFR92A — также очень близкие аналоги, широко распространены.
  2. Для новых разработок: Рекомендуется искать более современные аналоги от Infineon, NXP или ON Semiconductor, так как BFG195/W является уже классической, но не самой новой моделью. Например, серии BFP7xx или BFR9xx от Infineon могут предложить лучшие характеристики.

Важное замечание по замене:

  • Всегда проверяйте цоколевку (pinout)! Хотя у перечисленных аналогов она часто совпадает (например, 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор, 4-Подложка/Эмиттер), возможны исключения.
  • Для критичных по параметрам схем (особенно по шуму и усилению на конкретной частоте) необходим тщательный подбор по графикам в даташите и, возможно, подстройка схемы.

Где найти информацию: Для получения самой точной и актуальной информации всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на сайте производителя Infineon Technologies.

Товары из этой же категории