Infineon BCR183T
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BCR183T
Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BCR183T, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.
Описание
Infineon BCR183T — это маломощный PNP-биполярный транзистор, выполненный в сверхминиатюрном пластиковом корпусе SOT-23-3. Он принадлежит к серии BCR183, которая оптимизирована для применения в качестве управляющего ключа (свитча) или усилителя в низковольтных и низкоточных схемах.
Ключевые особенности и назначение:
- Тип проводимости: PNP. Это важно для проектирования схем, где требуется управление напряжением на стороне питания (high-side switching) или создание инвертирующих каскадов.
- Назначение: Предназначен в первую очередь для коммутации низковольтных нагрузок и работы в схемах управления питанием.
- Области применения: Идеально подходит для портативной электроники, бытовой техники, управления светодиодами, интерфейсных схем и других приложений, где критичны малые габариты и энергоэффективность.
- Корпус SOT-23-3: Очень компактный, что позволяет значительно экономить место на печатной плате.
Проще говоря, это маленький и недорогой электронный переключатель, которым можно управлять с помощью слабого сигнала с микроконтроллера или другой логической схемы, чтобы включать и выключать более мощную нагрузку.
Технические характеристики (Electrical Characteristics)
- Структура транзистора: PNP
- Корпус (Package): SOT-23-3
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (Максимальное напряжение, которое может выдержать транзистор в закрытом состоянии).
- Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 В
- Непрерывный ток коллектора (IC): -100 мА (Максимальный постоянный ток, который может пропустить через себя).
- Коэффициент усиления по току (hFE):
- При IC = -2 мА, VCE = -3 В: 120 - 220 (для версии BCR183T, код "T")
- При IC = -10 мА, VCE = -3 В: 120 - 220 (для версии BCR183T, код "T")
- (Этот параметр показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы. У BCR183T высокий и стабильный коэффициент усиления).
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
- При IC = -10 мА, IB = -0.5 мА: макс. -80 мВ
- При IC = -50 мА, IB = -2.5 мА: макс. -250 мВ
- (Очень низкое напряжение насыщения — ключевое преимущество, так как оно минимизирует потери мощности и нагрев при работе транзистора в режиме ключа).
- Частотная характеристика (fT): 250 МГц (Граничная частота усиления по току). Позволяет использовать транзистор в достаточно высокочастотных схемах.
Парт-номера (Part Numbers)
Полное официальное наименование от Infineon — BCR183T. Однако в зависимости от поставщика или системы маркировки на корпусе может быть нанесена сокращенная маркировка.
- Маркировка на корпусе (SMD Code): "3M"
- Именно так этот транзистор выглядит на плате: маленький черный корпус с белой надписью
3M.
- Именно так этот транзистор выглядит на плате: маленький черный корпус с белой надписью
Совместимые модели (Аналоги и Замены)
BCR183T является частью обширного семейства PNP-транзисторов в корпусе SOT-23. Его можно заменить множеством других моделей с похожими или лучшими параметрами.
Прямые аналоги и совместимые замены (PNP, SOT-23-3):
- BCR183 Series: BCR181, BCR182 (отличаются в основном коэффициентом усиления hFE).
- Infineon / Siemens: BCX56, BCX53 (более мощные, но также в SOT-89).
- ON Semiconductor: MMBT5401, MMBT2907A, BC817-40 (очень популярный и распространенный аналог).
- Nexperia: BC807-40, PMBT5401
- Diodes Incorporated: MMBT5401-7-F
- STMicroelectronics: BC807, BC856B
- Rohm: DTC143Z (транзистор со встроенным резистором, аналог по функции, но не по распиновке).
Важные замечания по замене:
- Всегда сверяйтесь с datasheet! Перед заменой обязательно проверяйте:
- Распиновку (pinout): У большинства PNP-транзисторов в SOT-23 распиновка стандартная (1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор), но бывают исключения.
- Параметры: Убедитесь, что напряжение, ток и коэффициент усиления заменяемого транзистора подходят для вашей схемы. Особенно это касается VCEO и VCE(sat).
Итог: Infineon BCR183T — это надежный, компактный и эффективный PNP-транзистор для коммутационных и усилительных задач. Благодаря низкому напряжению насыщения и высокому коэффициенту усиления он является отличным выбором для современных электронных устройств. Его популярность гарантирует легкую замену на множество совместимых аналогов от других производителей.