Infineon BCR166E6327

Конечно, вот подробное описание микросхемы Infineon BCR166E6327, ее технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon BCR166E6327 — это интегральная схема, содержащая в одном корпусе два независимых NPN-транзистора с резисторами. Такие компоненты известны как "цифровые транзисторы" (Digital Transistors) или "транзисторы со встроенными резисторами" (Resistor-Equipped Transistors, RTR).

Основное назначение BCR166E6327 — интерфейс между логическими схемами (например, микроконтроллерами) и нагрузками, требующими более высокого тока или напряжения. Встроенные резисторы позволяют значительно упростить схему, уменьшить количество внешних компонентов и площадь на печатной плате, а также повысить надежность.

Ключевые особенности:

• Два независимых канала: Позволяет управлять двумя разными нагрузками с помощью одной микросхемы.
• Встроенные резисторы: Каждый транзистор имеет встроенный резистор на базе (R1 = 10 кОм) и резистор между базой и эмиттером (R2 = 10 кОм).
• Компактный корпус: Выполнен в миниатюрном 6-выводном корпусе SOT-363 (SC-88), что критически важно для современных портативных устройств.
• Упрощение схемы: Позволяет подключать вход управления (например, с выхода МК) напрямую к выводу базы без необходимости добавления внешних резисторов.
• Назначение: Управление реле, светодиодами, небольшими двигателями, а также использование в качестве инверторов или буферов в цифровых схемах.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

• Тип транзистора: 2 x NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (минус указывает на тип проводимости NPN, но по модулю это 50 В)
• Ток коллектора (IC) макс. (постоянный): 100 мA на каждый транзистор
• Ток коллектора (IC) макс. (импульсный): 200 мA
• Коэффициент усиления по току (hFE):
  • При IC = 2 мA, VCE = 5 В: 60 - 250
  • При IC = 10 мA, VCE = 1 В: 80 - 240
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • Макс. 250 мВ при IC = 10 мA, IB = 0.5 mA
  • Макс. 600 мВ при IC = 50 мA, IB = 2.5 mA
• Встроенные резисторы:
  • Резистор в цепи базы (R1): 10 кОм ±30%
  • Резистор база-эмиттер (R2): 10 кОм ±30%
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 250 мВт (при Ta = 25°C)
• Диапазон рабочих температур (Tj): от -55 °C до +150 °C
• Корпус: SOT-363 (также известный как SC-88)

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку этот компонент является стандартным цифровым транзистором, у других производителей есть полные или функциональные аналоги.

Прямые аналоги (Pin-to-Pin Compatible)

Эти модели имеют идентичную цоколевку (SOT-363), одинаковые номиналы встроенных резисторов (10 кОм + 10 кОм) и схожие электрические характеристики. Они являются лучшей заменой.

• Diodes Incorporated: DDTC166YTA (самый популярный и распространенный аналог)
• ON Semiconductor: NUV2161MT1G
• ROHM: UMG10NFTN
• Nexperia: PUMD16,115
• Toshiba: DTB166YTM

Совместимые модели / Функциональные аналоги

Эти модели выполняют ту же функцию (двойной NPN-транзистор с резисторами), но могут иметь другие номиналы резисторов или незначительные отличия в характеристиках. При замене необходимо сверяться с даташитом.

• Infineon: BCR108, BCR116 (отличаются номиналами резисторов)
• ROHM: DTC146YCA (R1=2.2 кОм, R2=10 кОм)
• ON Semiconductor: NSS2C16DT1G (R1=10 кОм, R2=10 кОм, полный аналог)
• В общем случае, для поиска аналогов можно использовать серии "Dual NPN Digital Transistor" с резисторами 10k/10k и корпусом SOT-363.

Применение

• Цепи управления нагрузкой от выходов микроконтроллеров (GPIO).
• Драйверы светодиодов.
• Драйверы реле и соленоидов.
• Инверторы и буферы в логических схемах.
• Коммутация слаботочных цепей.

Важно: При замене на аналог всегда рекомендуется тщательно сверять datasheet, особенно цоколевку (pinout), так как у некоторых аналогов в том же корпусе она может отличаться. Наиболее безопасной и прямой заменой является DDTC166YTA от Diodes Inc.