Infineon BC857CE6327

Отличный выбор транзистора! Infineon BC857CE6327 — это высококачественный PNP-биполярный транзистор общего назначения (BJT), произведенный по надежной технологии Infineon. Он широко используется в усилительных и переключающих схемах.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание

BC857CE6327 — это транзистор PNP-типа в миниатюрном корпусе SOT-23, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Он является частью семейства BC857, которое характеризуется высоким коэффициентом усиления по току (hFE), низким напряжением насыщения и отличной согласованностью параметров, что особенно важно для парных схем (например, в дифференциальных каскадах).

Основные сферы применения:

• Усиление сигналов (аудио, ВЧ, малосигнальное) в предварительных каскадах.
• Цифровые ключи и переключатели.
• Драйверы для управления светодиодами, реле и другими нагрузками.
• Генераторы и преобразователи.
• Интерфейсные схемы и схемы согласования уровней.

Ключевые преимущества:

• SOT-23: Очень компактный и популярный корпус.
• Высокий hFE: Позволяет управлять нагрузкой малым током базы.
• Низкий уровень шума: Хорошо подходит для усилителей.
• Согласованные параметры в семействе: BC856 (нижний hFE), BC857 (средний hFE), BC858 (высокий hFE).

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Key Electrical Data)

Максимально допустимые параметры (не для работы, а предельные):

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -45 В
• Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 В
• Постоянный ток коллектора (IC): -100 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (Ptot): 250 мВт при температуре 25°C
• Диапазон рабочих температур перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C
• Температура хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C

Основные электрические параметры (типовые/при указанных условиях):

• Коэффициент усиления по току (hFE):
  • BC857A: 125 - 250 (при IC = -2 мА, VCE = -5 В)
  • BC857B: 200 - 450 (при IC = -2 мА, VCE = -5 В)
  • BC857C: 420 - 800 (при IC = -2 мА, VCE = -5 В)
  • Модель BC857CE6327 относится к группе "C" — с самым высоким коэффициентом усиления в семействе.
• Граничная частота усиления (fT): минимум 100 МГц (тип. 250 МГц) — хороший показатель для ВЧ-усиления.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • -0.25 В макс. (при IC = -100 мА, IB = -5 мА) — низкое напряжение насыщения, что важно для ключевого режима.
• Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)):
  • -0.9 В макс. (при IC = -100 мА, IB = -5 мА).
• Шумовое напряжение (vnf): около 2 дБ (типично) — низкий уровень собственного шума.

Распиновка корпуса SOT-23 (вид сверху):

    1      2      3
    |      |      |
   / \    / \    / \
  | E |  | B |  | C |
   \_/    \_/    \_/

1 - Эмиттер (Emitter) 2 - База (Base) 3 - Коллектор (Collector)

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

1. Прямые аналоги от других производителей (с тем же типом корпуса и группой усиления "C"):

• ON Semiconductor: BC857CLT1G, BC857C,215 (Nexperia)
• Nexperia: BC857C,215 (часто является прямым аналогом по datasheet)
• STMicroelectronics: BC857C
• Fairchild/ON Semi: BC857C
• Diodes Incorporated: BC857C-7-F
• Мыльце (Китай): SS8550 (Обратите внимание! SS8550 — очень популярный аналог, но его pinout (распиновка) отличается: 1-Эмиттер, 2-Коллектор, 3-База). Требует переразводки платы!

2. Аналоги в том же семействе Infineon (разные группы усиления, корпус тот же):

• BC856CE6327 — группа "A", меньшее усиление (125-250).
• BC857BE6327 — группа "B", среднее усиление (200-450).
• BC858CE6327 — группа "C" с еще более высоким усилением (420-800), но с более низким VCEO (-30В).

3. Функциональные/Условные аналоги (PNP, SOT-23, схожие параметры):

• 2SA1037AK (ROHM) — высокий hFE, низкий шум.
• MMBT5401 (все производители) — более мощный (VCEO = -150В, IC = -600 мА), но с меньшим коэффициентом усиления.
• 2N2907 в корпусе SOT-23 (например, MMBT2907).
• BC807-40 / BC807-16 (Nexperia, ON Semi) — аналог с другим порядком выводов (часто 1-Коллектор, 2-База, 3-Эмиттер).

Важные замечания при замене:

1. Всегда проверяйте распиновку (pinout)! Особенно при замене на SS8550 или BC80x серии.
2. Обращайте внимание на группу усиления (буква после номера). Замена на модель с меньшим hFE (например, BC857B вместо BC857C) может привести к недостаточному усилению в схеме.
3. Сверяйтесь с даташитом конкретного производителя для уточнения предельных параметров, так как они могут незначительно отличаться.

Вывод: Infineon BC857CE6327 — это надежный, высокочастотный PNP-транзистор с отличным коэффициентом усиления, идеально подходящий для компактных электронных устройств. При замене лучшим выбором будут аналоги от ON Semiconductor (BC857CLT1G) или Nexperia (BC857C,215) из-за полной совместимости по параметрам и распиновке.