Infineon 4N04H0

Конечно, давайте разберемся с этим компонентом.

Скорее всего, в названии Infineon 4N04H0 есть небольшая ошибка или оно было неразборчиво. Наиболее вероятный и правильный кандидат — это Infineon IPP04N04N.

Это очень популярный MOSFET-транзистор, и обозначение "4N04" идеально совпадает с его порядковым номером. Буква "H" в конце может обозначать специфическую упаковку (например, на ленте и в катушке - Tape & Reel).

Вот полное описание и технические характеристики для IPP04N04N.

Описание

Infineon IPP04N04N — это N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS. Эти транзисторы характеризуются очень низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Основные преимущества и области применения:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) уменьшаются потери мощности в виде тепла.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные решения.
• Быстрое переключение: Подходит для импульсных источников питания (SMPS) и ШИМ-контроллеров.
• Основные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Цепи управления двигателями (например, в материнских платах для управления CPU VCore)
  • Схемы синхронного выпряления

Технические характеристики (Ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | - | | Технология | OptiMOS | - | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 40 В | - | | Непрерывный ток стока (I_D) | 100 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | ~4.0 мОм | V_GS = 10 В | | | ~5.3 мОм | V_GS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | - | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~45 нКл | V_GS = 10 В | | Корпус | TO-220 | Открытый (без радиатора) |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги и Cross-Reference)

Поскольку этот компонент очень распространен, у многих производителей есть прямые или улучшенные аналоги.

1. Прямые аналоги от Infineon (разные корпуса и версии):

• IPP04N04N (базовая модель в TO-220)
• IPD04N04N (в корпусе D²Pak / TO-263, для поверхностного монтажа)
• IPB04N04N (в корпусе D²Pak / TO-263, версия с низким Q_g)

2. Аналоги от других производителей (с похожими характеристиками 40В / ~4-5 мОм):

• STMicroelectronics:
  • STP100N4F4 (40В, 4.5 мОм)
  • STP110N4F4 (40В, 4.0 мОм)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP70090E (40В, 3.8 мОм)
• ON Semiconductor:
  • FDP100N04F (40В, 4.2 мОм)
• Texas Instruments:
  • CSD17554Q3 (40В, 4.3 мОм, но в корпусе SON)

3. Совместимые модели (используются в схемах, где важны Vds и Rds(on)):

• Infineon IPP040N06N (60В, 4.0 мОм) — более высокое напряжение, подходит для замены.
• Infineon IPP032N06N (60В, 3.2 мОм) — более низкое сопротивление, часто используется в аналогичных схемах.
• International Rectifier (IR): IRLB4132 (40В, 3.7 мОм)
• Nexperia: PSMN4R0-40YS (40В, 4.0 мОм)

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом, обращая особое внимание на:

• Распиновку корпуса (особенно у аналогов в D²Pak).
• Напряжение V_GS(th) и заряд затвора Q_g, если схема управления затвором критична.
• Внутреннюю структуру (наличие встроенного диода).

Если вы уточните, откуда был взят этот номер (например, с платы ноутбука, блока питания), можно будет дать более точный ответ по аналогам, которые успешно применяются в таких устройствах.