Infineon 25N120FL3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon 25N120FL3.

Общее описание

Infineon 25N120FL3 — это N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247. Он сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность работать с высокими токами и напряжениями (как у биполярного транзистора). Модель является частью серии FL3, что означает использование технологии Fieldstop 3 (Trenchstop), обеспечивающей низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)), высокую скорость переключения и улучшенную стойкость к короткому замыканию.

Основные области применения:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники сварочного тока
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы ИБП (UPS)

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 1200 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C (25°C) = 50 | А | При температуре корпуса 25°C | | Непрерывный ток коллектора | I_C (100°C) = 25 | А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора импульсный | I_CM = 100 | А | Максимальный кратковременный ток | | Падение напряжения в открытом состоянии | V_{CE(sat)</sub) (тип.) = 1.8 | В | При IC=25A, VGE=15В | | Напряжение насыщения | VCE(sat)</sub) (макс.) = 2.5 | В | | | Напряжение отпирания затвора | VGE = ±20 | В | Максимальное (типовое рабочее +15В) | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) = 4.5 - 6.5 | В | | | Энергия включения | Eon (тип.) = 2.5 | мДж | Характеризует динамические потери | | Энергия выключения | Eoff (тип.) = 1.0 | мДж | | | Время включения / выключения | ton / toff (тип.) = 45 / 350 | нс | | | Стойкость к короткому замыканию | tsc = 10 | мкс | Время, которое транзистор выдерживает КЗ | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC = 0.5 | °C/Вт | | | Рабочая температура перехода | Tj = -55 ... +150 | °C | | | Тип корпуса | TO-247 | — | Изолированный фланец (Isolated) |}

Особенности серии FL3:

• Низкое Vce(sat): Минимальные потери на проводимость.
• Повышенная скорость переключения: Позволяет увеличить частоту работы.
• Прямая совместимость: Может управляться стандартными драйверами для IGBT/MOSFET.
• Плавный обратный диод: Встроенный быстрый обратный диод (FRD) с мягкой характеристикой восстановления, что снижает выбросы напряжения.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными обозначениями в зависимости от производителя, маркировки и стандартов.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или эквивалентные):

• IKW25N120FL3 — Аналогичная модель в корпусе TO-247 Plus (слегка измененная геометрия выводов, но взаимозаменяем по схеме).
• IKW40N120FL3 — Более мощный аналог (40А) из той же серии.
• IKW15N120FL3 — Менее мощный аналог (15А).
• IRG4PH40UD (от International Rectifier, ныне Infineon) — Старый популярный аналог, часто используется как замена, но с другими динамическими параметрами.

2. Прямые аналоги от других производителей (функционально совместимые):

• STGW25N120FL3 / STGW25N120KD — От STMicroelectronics (очень близкий прямой аналог).
• FGA25N120FTD / FGA25N120ANTD — От Fairchild/ON Semiconductor.
• H25N1202 / H25N1203 — От Haijie (китайские производители).
• K25N120FL3 — Частая маркировка на транзисторах от других вендоров, копирующих Infineon.

3. Совместимые модели для замены (требуется проверка по даташиту): При замене обязательно нужно сверяться с распиновкой и характеристиками, особенно с динамическими параметрами (Eon, Eoff) и характеристикой встроенного диода.

• IRGP4063DPBF (International Rectifier)
• NGTB25N120FL3WG (ON Semiconductor)
• G25N120FL3 (часто встречается как аналог)

Важные замечания по замене и применению

1. Проверка распиновки: Хотя у TO-247 стандартная распиновка (G-D-S / Затвор-Коллектор-Эмиттер), у некоторых аналогов корпус может быть не изолирован. У 25N120FL3 фланец изолирован.
2. Параметры драйвера: Для надежного включения необходимо напряжение на затворе +15В, для гарантированного выключения рекомендуется отрицательное смещение (до -5...-15В), особенно в мостовых схемах.
3. Тепловой режим: Из-за высоких токов обязателен эффективный теплоотвод с использованием термопасты. Максимальная рабочая температура перехода — 150°C.
4. Защита от перенапряжения: На индуктивной нагрузке необходимы снабберные цепи (RCD) для ограничения выбросов напряжения Vce.
5. Стойкость к КЗ: Хотя транзистор имеет заявленную стойкость 10 мкс, для защиты требуется быстрая схема детектирования перегрузки по току в драйвере.

Вывод: Infineon 25N120FL3 — это надежный и популярный IGBT-транзистор для мощных силовых приложений на напряжение до 1200В. При замене аналогами рекомендуется использовать прямые аналоги от STMicroelectronics (STGW25N120FL3) или проверенные аналоги от известных брендов, внимательно изучая даташиты на соответствие ключевых параметров, особенно в динамических режимах.