Infineon 5080

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFET (серия IPP080N08N5, также известная как BSC080N08NS5 и аналоги).

Важное уточнение: Номер "5080" — это не полный парт-номер, а, скорее всего, сокращенная маркировка на корпусе (типоразмер D²PAK или TO-220), указывающая на ключевые параметры: 80V, 5.8 мОм. Полный парт-номер начинается с префикса, например, IPP080N08N5.

Общее описание

Infineon OptiMOS™ 5 80V — это семейство силовых N-канальных MOSFET-транзисторов, представляющее собой оптимальное соотношение цена/производительность для широкого спектра применений. Эти транзисторы изготовлены по передовой технологии супер-Junction, что обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (R DS(on)) при компактных размерах кристалла.

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление R DS(on): Минимизирует проводимые потери и нагрев.
• Высокая эффективность: Идеально подходит для повышения КПД в импульсных источниках питания и моторах.
• Отличная способность к коммутации: Быстрое переключение снижает динамические потери.
• Высокая надежность: Робастная конструкция и качество Infineon.
• Оптимизирован для синхронного выпрямления и мотор-контроля.

Основные области применения:

• Синхронное выпряление в источниках питания для серверов, телекоммуникаций, ПК.
• DC-DC преобразователи (низковольтные шины 48V, 12V).
• Управление двигателями (электромобили, дроны, промышленные приводы, силовые инструменты).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Солнечные инверторы.

Технические характеристики (на примере IPP080N08N5)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Технология: OptiMOS™ 5
• Напряжение "сток-исток" (V DSS): 80 В
• Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on) при V GS=10V): 5.8 мОм (макс.) при 25°C
• Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on) при V GS=4.5V): ~7.5 мОм (макс.) при 25°C (важно для работы от логических уровней)
• Максимальный непрерывный ток стока (I D при 25°C): 80 А (в корпусе D²PAK)
• Максимальный импульсный ток стока (I DM): 320 А
• Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): 2.3 - 4.0 В (тип. 3.2 В)
• Общий заряд затвора (Q g при V GS=10V): ~60 нКл (низкое значение, что упрощает управление)
• Паразитная емкость (C iss): ~2100 пФ
• Максимальная рассеиваемая мощность (P D): 250 Вт (зависит от корпуса и условий охлаждения)
• Корпуса (Package): D²PAK (TO-263), TO-220, DPAK (TO-252), LFPAK (Power-SO8) — в зависимости от конкретного парт-номера.

Парт-номера (полная номенклатура Infineon)

Номер строится по шаблону: IPP[Напряжение]N[Ток]N[Поколение] или BSC[Напряжение]N[Ток]NS[Поколение].

Основные парт-номера для 80V / ~5.8 мОм в разных корпусах:

| Полный парт-номер Infineon | Корпус | R DS(on) (макс.) | I D (макс.) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | IPP080N08N5 | D²PAK (TO-263-3) | 5.8 мОм | 80 A | Наиболее популярный и вероятный вариант для "5080" | | IPB080N08N5 | TO-220 | 5.8 мОм | 80 A | | | IPD080N08N5 | DPAK (TO-252-3) | 5.8 мОм | 52 A | | | BSC080N08NS5 | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | Функционально идентичен IPP080N08N5 | | BSC080N08NS5ATMA1 | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | Автомобильная версия (AEC-Q101) |

Что может быть написано на корпусе (маркировка):

• На корпусе D²PAK часто наносится сокращенный код, например: N08N5 или 5080 (где 80 - напряжение, 5 - поколение, а 0 - может указывать на корпус/ток).

Совместимые и конкурирующие модели от других производителей

Данные транзисторы имеют прямых аналогов у других ведущих производителей. При замене необходимо сверять распиновку (pinout) корпуса, так как она может отличаться, особенно в корпусах D²PAK и TO-220.

Аналоги по ключевым параметрам (80V, ~5-6 мОм):

| Производитель | Парт-номер (пример) | Корпус | R DS(on) | I D | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SQJ080E05-08 | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | Очень близкий прямой аналог | | ON Semiconductor | FDB080N08A | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | | | STMicroelectronics | STL080N8F7 | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | | | Nexperia | PSMN1R8-80YS | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | Обратите внимание на другой принцип нумерации | | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) | AOTF080N08 | D²PAK | 5.8 мОм | 80 A | |

Важно для замены:

1. Всегда проверяйте datasheet на соответствие ключевых параметров: V DSS, R DS(on), I D, Q g.
2. Внимание на распиновку! Например, у некоторых аналогов в корпусе D²PAK вывод стока (Drain) может быть расположен на отдельном фланце, а не на среднем выводе. У Infineon IPP080N08N5 стандартная распиновка: 1-Gate, 2-Drain, 3-Source.
3. Учитывайте динамические характеристики (емкости, время переключения), если схема высокочастотная.

Вывод

Маркировка "5080" с высокой вероятностью указывает на высококачественный MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 80V / 5.8 мОм, скорее всего в корпусе D²PAK (полный номер типа IPP080N08N5). Этот компонент является отраслевым стандартом для мощных и эффективных решений и имеет множество прямых и непрямых аналогов от других производителей. Для точной идентификации и замены рекомендуется визуально сверить корпус и найти полный код маркировки, а затем обратиться к официальному даташиту.