Infineon 4935

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полевого транзистора Infineon IPP093N10N5.

Описание

Infineon IPP093N10N5 G — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS 5. Этот транзистор предназначен для применения в силовой электронике, где требуются высокий КПД, низкие потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение, которое минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии, что особенно важно для энергоэффективных применений.
• Высокая скорость переключения: Технология OptiMOS 5 обеспечивает малые заряды затвора, что позволяет работать на высоких частотах (десятки и сотни кГц) с минимальными динамическими потерями.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Транзистор обладает отличной способностью выдерживать импульсные перенапряжения, что повышает надежность системы в жестких условиях работы.
• Низкий пороговый напряжения затвора: Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных контроллеров.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками. Позволяет легко устанавливать радиатор для охлаждения.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Мотор-драйверы и системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы
• Усилители класса D

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | - | | Технология | OptiMOS 5 | - | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | - | | Сток-Исток сопротивление (Rds(on)) | 9.3 мОм | Vgs = 10 В, Id = 10 А | | | 6.5 мОм | Vgs = 10 В, Id = 40 А | | Максимальный ток стока (Id) | 80 А | При Tc = 25°C | | | 53 А | При Tc = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 333 Вт | При Tc = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.7 - 3.7 В | Тип. 3.2 В (Id = 250 мкА) | | Максимальное напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | - | | Заряд затвора (Qg) | 67 нКл | Vgs = 10 В | | Время включения (td(on) / tr) | 14 нс / 43 нс | - | | Время выключения (td(off) / tf) | 42 нс / 13 нс | - | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.75 мкКл | - | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | - | | Корпус | TO-220 | Полностью изолированный (FullPAK) |

Парт-номера и аналоги

Поскольку Infineon часто использует разные префиксы для одного и того же кристалла в зависимости от корпуса или партии, а также из-за наличия прямых аналогов, вот список парт-номеров и совместимых моделей.

Прямые парт-номера от Infineon (аналоги в других корпусах):

• IPP093N10N5 G (TO-220 FullPAK)
• IPB093N10N5 G (TO-263-3, D²PAK) <- Поверхностный монтаж
• IPD093N10N5 G (TO-252-3, DPAK) <- Поверхностный монтаж, для меньших мощностей

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

При поиске аналога следует ориентироваться на ключевые параметры: 100В, 80А, Rds(on) ~9.3 мОм.

• STMicroelectronics:

  • STH100N10F7 (100В, 100А, 7.0 мОм) - более высокие характеристики
  • STP100N10F7 (аналог в TO-220)

• Vishay / Siliconix:

  • SUD80N10-25 (100В, 80А, 9.5 мОм) - очень близкий аналог

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDP100N10F (100В, 100А, 7.8 мОм) - более высокие характеристики
  • NTMFS100N10T (100В, 100А, 7.0 мОм) - в корпусе D²PAK

• Texas Instruments:

  • CSD19536KTT (100В, 60А, 9.6 мОм) - в корпусе TO-220 (DDPAK)

Важно! При замене на аналог необходимо:

1. Внимательно сверять распиновку корпуса.
2. Проверять вольт-амперные характеристики (особенно при рабочих токах).
3. Учитывать различия в динамических параметрах (Qg, Qrr), если схема работает на высоких частотах.
4. Убедиться, что тепловые характеристики и способ монтажа (радиатор) подходят для выбранного аналога.