SMC SMC0808N

Конечно, вот подробное описание SMC SMC0808N, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

SMC SMC0808N — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем затвора, выполненный в популярном корпусе SO-8. Ключевыми особенностями данного компонента являются:

• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Всего 1.8 мОм при напряжении на затворе 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов, что делает транзистор высокоэффективным.
• Работа от логического уровня: Полностью открывается при напряжении на затворе всего 4.5 В, что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров (например, Arduino, STM32, ESP32) без использования дополнительных драйверов.
• Высокий максимальный ток: Способен коммутировать постоянный ток до 80 А, что делает его пригодным для самых требовательных применений.
• Низкое пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Типичное значение 1.8 В, что дополнительно облегчает совместимость с логическими схемами.

Основное применение: Коммутация высоких токов в цепях с низким напряжением. Идеально подходит для:

• Систем управления двигателями (драйверы мотор-колес, CNC станки)
• DC-DC преобразователей
• Управления мощными светодиодами
• Систем защиты от обратного тока (eFuse, "идеальные диоды")
• Автомобильной электроники
• Источников бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET | | | Корпус | SO-8 (SOIC-8) | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | | | Максимальный постоянный ток (Id) | 80 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление сток-исток (Rds(on)) | 1.8 мОм | Vgs = 10 В, Id = 40 А | | | 2.3 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 40 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.8 В | макс. 2.4 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 130 нКл | типовое | Vgs = 10 В | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1 Вт | При Tc = 25°C | | Диод обратного восстановления (Body-Diode) | Есть | | | Время включения (td(on)) / выключения (td(off)) | 17 нс / 32 нс | типовые |

Парт-номера и прямые аналоги

SMC SMC0808N является частью большого семейства MOSFET'ов с аналогичными характеристиками. Часто разные производители выпускают практически идентичные компоненты.

Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами):

• Nexperia: PSMN1R8-30YL — это, по сути, один и тот же транзистор, так как Nexperia является производителем оригинальной серии. Это самый точный аналог.
• Infineon: IPP030N08N (хотя может иметь незначительные отличия в Qg).
• ON Semiconductor: NDT8N08 (очень близкий аналог).
• STMicroelectronics: STL80N8F7.
• Vishay / Siliconix: SUD80N08-10.
• Texas Instruments: CSD88584Q5D (в другом корпусе, но с похожими характеристиками).

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом конкретного аналога, особенно обращая внимание на распиновку (pinout), так как в корпусе SO-8 бывают вариации.

Совместимые модели и семейства

Если вам нужен транзистор с похожими характеристиками, но, возможно, с другим напряжением или сопротивлением, можно рассматривать следующие семейства и модели:

1. Для более высоких напряжений (с бОльшим Rds(on)):

   • SMC SMC100N04 (40 В, 1.0 мОм)
   • IRF3710 (100 В, 23 мОм)
   • IRF3205 (55 В, 8.0 мОм)

2. Для еще более низкого Rds(on) в том же форм-факторе:

   • Nexperia PSMN1R0-40YL (40 В, 1.0 мОм)
   • Infineon IPB009N08N (80 В, 0.9 мОм)

3. Аналоги в корпусе D²PAK (TO-263) для лучшего теплоотвода:

   • IRFB3206 (60 В, 2.0 мОм)
   • IRFB3306 (60 В, 1.8 мОм)

Заключение: SMC SMC0808N — это отличный выбор для эффективной коммутации высоких токов в низковольтных системах. Его ключевое преимущество — чрезвычайно низкое Rds(on) при управлении от логического уровня, что делает его "рабочей лошадкой" в современных power electronics проектах. Наиболее прямым и рекомендуемым аналогом является Nexperia PSMN1R8-30YL.