SMC MBRS360T3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового полевого транзистора SMC MBRS360T3G.

Описание

SMC MBRS360T3G — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в популярном компактном корпусе DPAK (TO-252). Он предназначен для использования в схемах переключения и управления высокой мощностью, таких как импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, схемы управления двигателями и другие приложения, где требуются высокие токи и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Ключевыми преимуществами этой модели являются:

• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев.
• Высокая скорость переключения, позволяющая эффективно работать в высокочастотных схемах.
• Высокий импульсный ток стока, что важно для handling пусковых токов и пиковых нагрузок.
• Низкий пороговый уровень напряжения затвора (VGS(th)), что упрощает управление от современных микроконтроллеров и низковольтных логических схем.

Это надежный и эффективный компонент от производителя ON Semiconductor (ныне часть компании onsemi).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | - | | Технология | TrenchFET® | - | | Корпус | DPAK (TO-252) | - | | Сток-Исток Напряжение (VDSS) | 60 | В | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 21 | А | | Непрерывный ток стока (ID) при 100°C | 13 | А | | Импульсный ток стока (IDM) | 80 | А | | Сопротивление сток-исток в откр. сост. (RDS(on)) | 9.5 (макс. при VGS=10 В) | мОм | | | 12.5 (макс. при VGS=4.5 В) | мОм | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0 - 2.0 | В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 | В | | Общая рассеиваемая мощность (Ptot) | 57 | Вт | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Есть | - | | Скорость переключения | Быстрое (оптимизировано для этого) | - | | Температура хранения/перехода (Tj, Tstg) | от -55 до +175 | °C |

Парт-номера и Аналоги (Cross-Reference)

Прямые аналоги и парт-номера от других производителей, которые являются функционально и конструктивно совместимыми (всегда проверяйте распиновку и даташит перед заменой):

• STMicroelectronics: STP21N60M2
• Infineon: IPP60R060P7XKSA1
• Vishay / Siliconix: SiHH21N60E
• Fairchild Semiconductor (часть onsemi): FDPF21N60NZ
• International Rectifier (Infineon): IRFB21N60K

Важно: Номера вроде MBRS360 (без "T3G") часто относятся к диодам Шоттки, а не к MOSFET-транзисторам. Будьте внимательны, это распространенная ошибка. "T3G" — это суффикс, указывающий на корпус и экологическое соответствие (безгалогенный, без свинца).

Совместимые модели и сферы применения

Этот MOSFET широко используется в качестве силового ключа в различной электронике:

1. Импульсные источники питания (SMPS):

   • Компьютерные БП (десктопы, серверы)
   • Блоки питания для аудио- и видеоаппаратуры
   • Источники питания для промышленного оборудования

2. DC-DC преобразователи:

   • Понижающие (Buck) и повышающие (Boost) преобразователи.
   • Модули стабилизаторов напряжения.

3. Управление двигателями:

   • Драйверы моторов в бытовой технике (стиральные машины, вентиляторы).
   • Контроллеры в электроинструменте.
   • Системы управления в автомобильной электронике (например, управление стеклоподъемниками, вентиляторами охлаждения).

4. Прочие применения:

   • Инверторы (например, для небольших ИБП).
   • Системы управления силовой нагрузкой (Solid-State Relays).
   • Схемы синхронного выпрямления в мощных БП.

Рекомендация: Перед заменой в конкретной модели устройства (например, в блоке питания от определенного бренда) всегда сверяйтесь со схемой и убедитесь, что параметры предлагаемого аналога (особенно напряжение VDS, ток ID и сопротивление RDS(on)) полностью соответствуют или превосходят оригинальную деталь.