Powerex KS62121KHB

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Powerex KS62121KHB.

Описание

Powerex KS62121KHB — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), собранный в популярном и надежном модуле стандарта SEMIPACK 2. Этот модуль представляет собой полностью изолированную сборку, что упрощает монтаж на радиатор без необходимости использования изолирующих прокладок, так как теплоотвод уже электрически изолирован от кристаллов.

Модуль содержит в одном корпусе два компонента:

1. Высокоскоростной IGBT с номинальным током 60А.
2. Диод обратного хода (антипараллельный диод), оптимизированный для работы с IGBT.

Основное назначение: Этот модуль предназначен для использования в силовых электронных схемах, работающих в диапазоне средних частот и высоких мощностей. Он является отличным решением для построения мощных полумостовых и мостовых инверторов.

Типичные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи (ПЧ, инверторы)
• Сервоприводы и системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП) большой мощности
• Сварочное оборудование
• Системы плавного пуска (софт-стартеры)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Powerex (Mitsubishi Electric) | | | Тип корпуса | SEMIPACK 2 | Полностью изолированный | | Кол-во IGBT в модуле | 1 | | | Кол-во диодов в модуле | 1 (антипараллельный) | |

Характеристики IGBT: | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (Ic) | 60 А (при Tc=80°C) | | Макс. импульсный ток коллектора | 120 А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | ~2.9 В (тип., при Ic=60A) | | Скорость переключения | Высокая | Оптимизирован для работых частот до 20-30 кГц |

Характеристики Диода: | Прямой ток (If) | 60 А | | Пиковый прямой импульсный ток | 120 А | | Прямое падение напряжения (Vf) | ~2.1 В (тип., при If=60A) |

Тепловые и прочие характеристики: | Макс. рабочая температура перехода (Tj) | +150 °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.45 °C/Вт (IGBT), 0.65 °C/Вт (Диод) | | Масса | ~ 85 г | | Монтаж | Винтовой (M4) |

Парт-номера и Совместимые модели

Данный модуль является частью серии Powerex KS62. Многие производители выпускают аналогичные модули в том же корпусе SEMIPACK 2 с идентичными или очень близкими электрическими параметрами. Они часто являются прямыми аналогами (drop-in replacement).

Прямые аналоги и парт-номера:

• Powerex (Mitsubishi):

  • CM60DY-12H — это, по сути, тот же самый модуль. Номер CM60DY-12H является основным парт-номером для этой серии, а KS62121KHB может быть специфическим суффиксом для определенной партии или упаковки.
  • CM60DY-12H (R) — версия с обратной полярностью (диод и IGBT поменяны местами на схеме). Внимание: Не является прямым аналогом по распиновке!

• Fuji Electric:

  • 2MBI60N-120 — очень популярный и широко распространенный прямой аналог.

• SEMIKRON:

  • SKM60GB12T4 — прямой аналог в корпусе SEMIPACK 2.

• Infineon Technologies:

  • IGBT модули в корпусе SEMIPACK 2 с рейтингом 60А / 1200В (например, серии IKW). Конкретный номер нужно уточнять по даташиту.

Совместимые модели (по корпусу и параметрам):

Модули следующих производителей в корпусе SEMIPACK 2 с характеристиками ~60А / 1200В являются функциональными аналогами и часто взаимозаменяемы при проектировании, но перед заменой обязательно необходимо сверяться с даташитом на предмет:

• Распиновки (pinout)
• Напряжения насыщения (Vce(sat))
• Теплового сопротивления (Rth)
• Внутренней схемы (наличие драйвера, конфигурация)

Производители совместимых модулей:

• Mitsubishi Electric / Powerex
• Fuji Electric
• SEMIKRON
• Infineon
• Hitachi

Важное примечание: При замене модуля всегда сверяйтесь с официальными даташитами (технической документацией) от производителя. Несмотря на механическую и базовую электрическую совместимость, могут быть незначительные отличия в динамических характеристиках, которые могут повлиять на работу конечного устройства, особенно в высокочастотных схемах.