Powerex KR221K75

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Powerex KR221K75.

Описание

Powerex KR221K75 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе Module (1 in 1). Он предназначен для построения силовых ключей в преобразовательной технике высокого напряжения и тока.

• Назначение: Этот модуль используется в качестве одиночного силового ключа в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления мощными электродвигателями и других устройствах, где требуется коммутация высоких напряжений и токов.
• Конструкция: Модуль представляет собой законченное устройство, в котором IGBT-транзистор и его антипараллельный диод (FRD - Fast Recovery Diode) собраны в едином изолированном корпусе. Это обеспечивает удобство монтажа на радиатор и высокую надежность.
• Ключевые преимущества: Высокое напряжение коллектор-эмиттер (до 1200В), большой ток коллектора (до 325А), низкое падение напряжения в открытом состоянии, а также наличие встроенного быстрого диода для работы в индуктивных цепях.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены основные электрические параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (при T_c=80°C) | I_C | 325 А | --- | | Пиковый ток коллектора (макс.) | I_CM | 650 А | --- | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.5 В | типичное, при I_C = 325 А, V_GE = 15 В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE | ±20 В | Максимальное (рекомендуемое рабочее: +15В / -5...-15В) | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.0 В | типичное | | Общий заряд затвора | Q_g | 1400 нКл | типичное | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_θJC | 0.08 °C/Вт | --- | | Максимальная температура перехода | T_j | 150 °C | --- | | Встроенный диод | --- | Есть | Быстрый восстановительный диод (FRD) | | Пиковый ток диода | I_FM | 325 А | --- | | Прямое напряжение диода | V_FM | 2.3 В | типичное, при I_F = 325 А | | Время восстановления диода | t_rr | 180 нс | типичное |

Парт-номера (Cross Reference / Аналоги)

Powerex (ныне принадлежит Mitsubishi Electric) — один из лидеров в производстве силовых модулей. Прямыми аналогами по основным параметрам (напряжению, току, корпусу и цоколевке) являются модули других крупных производителей.

Основные парт-номера и аналоги:

• Mitsubishi Electric: CM325DY-12S (самый прямой аналог, так как Powerex является подразделением Mitsubishi)
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120
• SEMIKRON: SKM300GB125D
• Infineon: FF300R12KE3

Важно: Несмотря на схожесть ключевых параметров, при замене одного модуля на аналог от другого производителя обязательно需要 сверяться с даташитом. Могут отличаться характеристики затвора (заряд, рекомендуемые сопротивления в цепи затвора), внутренняя паразитная индуктивность, рекомендации по монтажу и т.д.

Совместимые модели и применение

Этот IGBT-модуль не имеет "совместимых моделей" в смысле бытовой техники. Его совместимость определяется мощностью и напряжением системы, в которой он используется.

Типичные устройства и системы, где может применяться KR221K75:

1. Промышленные частотные преобразователи (Инверторы): Для управления скоростью асинхронных электродвигателей мощностью ~55-110 кВт (на одну фазу/плечо).
2. Сварочное оборудование: Мощные инверторные сварочные аппараты.
3. Системы плавного пуска (Софт-стартеры): Для плавного разгона мощных двигателей.
4. Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности: Трехфазные ИБП промышленного класса.
5. Индукционные нагреватели: Установки для плавки металла, закалки и т.д.
6. Системы рекуперации энергии.

Как подобрать аналог/совместимый модуль: При поиске замены или аналога для KR221K75 необходимо ориентироваться на следующие ключевые параметры:

• Напряжение V_CES: 1200 В
• Ток I_C: ~300-350 А
• Тип корпуса: Стандартный модуль (половинка H-моста, 1-in-1).
• Схема включения: Одиночный транзистор со встроенным обратным диодом.

Примечание: Информация основана на технической документации (datasheet) производителя. Перед заменой и использованием в конкретной схеме всегда обращайтесь к актуальному даташиту на компонент.