Freescale MRF8P26080HS
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF8P26080HS
Отличный выбор! MRF8P26080HS — это мощный LDMOS-транзистор для приложений усиления в УКВ-диапазоне, разработанный компанией Freescale (ныне часть NXP Semiconductors).
Краткое описание
MRF8P26080HS — это транзистор, выполненный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 8-го поколения от Freescale/NXP. Он предназначен для использования в выходных каскадах мощных усилителей в промышленном, научном и медицинском (ISM) оборудовании, а также в системах подвижной радиосвязи (Land Mobile Radio — LMR) и базовых станциях.
Ключевая особенность: Высокая надежность и устойчивость к тяжелым условиям эксплуатации, таким как несоответствие нагрузки (высокий КСВ), что критически важно для усилителей мощности в реальных условиях.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный, обогащенный режим, LDMOS FET.
- Диапазон частот: Оптимизирован для работы в диапазоне 136 - 960 МГц. Наиболее эффективно используется в сегментах 400-520 МГц и 800-960 МГц.
- Выходная мощность (Pout):
- 80 Вт (пиковая) в режиме CW (непрерывного сигнала).
- 120 Вт (пиковая) в импульсном режиме (например, для TDMA-сигналов).
- Линейное усиление (Gps): 19 дБ (типовое) на частоте 860 МГц при Pout=80 Вт.
- КПД (Drain Efficiency — ηD): 45% (типовое) на частоте 860 МГц при Pout=80 Вт.
- Рабочее напряжение (VDD): 28 В (номинальное, постоянный ток).
- Класс усиления: Предназначен для работы в классе AB, что обеспечивает хороший компромисс между линейностью и энергоэффективностью.
- Упаковка: HS (Heat Sink) — корпус с интегрированным медным основанием (фланцем) для эффективного отвода тепла. Имеет керамическую крышку. Выводы расположены по стандарту "Flange - 2 holes".
- Мatching: Транзистор интернализирован (pre-matched) на входе и выходе, что значительно упрощает проектирование широкополосной схемы усилителя.
Ключевые преимущества
- Высокая устойчивость к КСВ: Способен выдерживать несоответствие нагрузки до 65:1 на любой фазе при номинальном напряжении питания. Это главное конкурентное преимущество.
- Высокий линейный增益 (усиление): Позволяет строить каскады с меньшим количеством ступеней.
- Широкая полоса пропускания: Благодаря прематчингу, один транзистор может покрывать целый диапазон частот.
- Технология "Over Voltage, Over Current" (OVOC): Встроенная защита от перенапряжения и перегрузки по току, повышающая надежность.
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Прямые парт-номера от NXP (замена в рамках серии):
- MRF8P26080H — базовая версия в том же корпусе. "HS" часто обозначает вариант для высоконадежных применений или специфическую партию, но электрически они идентичны. В спецификациях NXP обычно указывается как MRF8P26080H.
- MRF8P26080HR5 — вариант в виде рулона/ленты (tape and reel) для автоматизированной сборки.
Ближайшие аналоги по характеристикам (от NXP / Freescale):
- MRF8P23165H (MRF8P23165HS): 65 Вт, 230-1000 МГц. Менее мощный, но с более широким частотным диапазоном.
- MRF8P20165H (MRF8P20165HS): 65 Вт, 136-1000 МГц. Более широкая полоса.
- MRF8P29300H (MRF8P29300HS): 300 Вт, 860-960 МГц. Более мощный, для узкого диапазона.
- MRF8P26000H (MRF8P26000HS): 60 Вт, 136-960 МГц. Предыдущая версия с немного меньшей мощностью.
Совместимые / конкурирующие модели от других производителей:
- Ampleon (выделилась из NXP): Модели серии BLF8G27S-80P, BLF8G22LS-130P (хотя у Ampleon своя линейка, часто схожая по параметрам).
- STMicroelectronics: Модели серии PD57070 (например, PD57070-E), но требуют тщательной проверки распиновки и характеристик.
- Wolfspeed (Cree): Модели на основе технологии GaN (например, CGH27080), которые предлагают более высокий КПД и рабочую частоту, но, как правило, по более высокой цене и с другими требованиями к схемотехнике.
Типичные области применения
- Выходные каскады усилителей для систем профессиональной мобильной радиосвязи (PMR/LMR) стандартов DMR, dPMR, TETRA, P25.
- Усилители для базовых станций и ретрансляторов.
- Промышленные, научные и медицинские (ISM) системы в диапазонах 433 МГц, 868 МГц, 915 МГц.
- Источники ВЧ-мощности для плазменной генерации и нагрева.
Важное примечание: При замене на аналог от другого производителя обязательно необходимо сверяться с datasheet, особенно обращая внимание на:
- Распиновку (pinout) и геометрию корпуса.
- Напряжения смещения (Vgs, Vds).
- Входные/выходные импедансы и схему прематчинга.
- Рекомендуемую схему смещения и термостабилизации.
Для получения самой актуальной информации, документации и SPICE-моделей рекомендуется обращаться на официальный сайт NXP Semiconductors.