Freescale MRF7S19080H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного полевого транзистора Freescale (ныне NXP) MRF7S19080H.

Общее описание

MRF7S19080H — это N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor). Он разработан специально для использования в мощных линейных усилителях в диапазоне частот от 1800 до 2000 МГц, что делает его идеальным решением для финальных каскадов усиления в базовых станциях сотовой связи стандартов GSM1800, DCS, PCS, а также в других профессиональных радиосистемах.

Ключевые особенности — высокая линейность, энергоэффективность и надежность, необходимые для работы с современными сложными модуляциями (такими как QPSK, QAM).

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип прибора | N-канальный LDMOS MOSFET | Для усиления в режиме АВ или В | | Диапазон частот (f) | 1800 - 2000 МГц | Оптимизирован для DCS/PCS | | Выходная мощность (Pout) | 80 Вт (средняя) | При работе с широкополосными сигналами (например, W-CDMA) | | Коэффициент усиления (Gps) | 16.5 дБ (тип.) | При Vdd=28В, Pout=80Вт, частоте 1930 МГ | | КПД (Drain Efficiency) | > 40% (тип.) | При номинальных условиях, способствует снижению тепловыделения | | Рабочее напряжение (Vdd) | 28 В (номинал), макс. 32 В | Стандартное напряжение для базовых станций | | Линейность (ACPR, IMD3) | Отличные показатели | Критически важно для минимизации помех в соседних каналах | | Класс усиления | AB | Оптимальный баланс между линейностью и КПД | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~0.5 °C/Вт | Низкое значение, указывает на хорошую способность к отводу тепла | | Корпус | Air Cavity CERAMIC (полость, заполненная воздухом) | Высоконадежный, с низкими паразитными параметрами, золотое покрытие выводов. Крепление - фланец. | | Схема включения | Common Source (с общим истоком) | Исток соединен с фланцем (корпусом) и должен быть заземлен. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Поскольку NXP постепенно обновляет линейку продуктов, у MRF7S19080H есть прямые замены и аналоги в новых сериях. Важно: При замене всегда необходимо проверять даташиты и, возможно, корректировать цепь смещения.

1. Прямые аналоги от NXP (рекомендованные замены):

• MRF7S19180H / MRF7S19180HS — Прямой наследник и основная рекомендуемая замена в современных проектах. Имеет улучшенные характеристики.
• AFT27S190N — Транзистор из серии "Advanced High Efficiency", предлагающий улучшенный КПД.
• MRF7S21180H — Более новая модель с аналогичными характеристиками.

2. Аналоги от других производителей (в том же классе и частотном диапазоне):

• Ampleon (бывшее подразделение NXP):
  • BLF7G22LS-180 / BLF7G27LS-180 — Мощные LDMOS транзисторы для схожих применений.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F — Транзистор на основе технологии GaN-SiC, предлагающий более высокую плотность мощности и КПД, но требующий особого внимания к цепи смещения и стабильности.
• MACOM:
  • MHT-2108B — Аналог в керамическом корпусе.

Совместимые и заменяемые модели (Предыдущее поколение / Альтернативы)

При поиске замены или аналога следует ориентироваться на следующие ключевые параметры: частота (~1900 МГц), выходная мощность (~80 Вт), напряжение питания (28В). Модели ниже могут быть совместимы по разъемам и иметь схожие электрические параметры, но требуют проверки по даташиту.

• MRF7S19080HS (вероятно, вариант корпуса или маркировки)
• MRF7S19080 (предыдущая версия без суффикса "H")
• PTF210180 / PTF210180E от Freescale/NXP
• MW7IC19080N от NXP (упрощенный "IC" вариант)
• Более старые модели, такие как MRF5S21080 или MRF6S21080, но они предназначены для других частотных диапазонов (например, 2110 МГц для 3G).

Важные примечания по применению

1. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование качественного радиатора с термопастой. Фланец транзистора электрически соединен с истоком (землей).
2. Схема смещения: Требует стабильного, хорошо отфильтрованного источника питания Vdd и правильно рассчитанной цепи смещения затвора (обычно отрицательное напряжение для отсечки).
3. Согласующие цепи: Для достижения заявленных характеристик необходимы точные ВЧ согласующие цепи на входе и выходе, как правило, реализованные на печатной плате.
4. ESD защита: LDMOS транзисторы чувствительны к статическому электричеству. При работе соблюдайте меры ESD-безопасности.
5. Актуальная информация: Поскольку модель не новая, для новых разработок настоятельно рекомендуется использовать более современные аналоги (например, MRF7S19180H или AFT27S190N), информацию о которых следует искать на официальном сайте NXP Semiconductors.

Вывод: MRF7S19080H — это проверенный, надежный LDMOS транзистор для построения мощных ВЧ усилителей в диапазоне 1.8-2.0 ГГц. При его замене или поиске аналога основными кандидатами являются более новые модели от NXP, такие как MRF7S19180H.