Freescale MRF7S18170HS
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF7S18170HS
Отличный выбор! Freescale MRF7S18170HS — это мощный и высокоэффективный LDMOS-транзистор для усиления радиочастотного сигнала, разработанный для работы в диапазоне частот до 1800 МГц. Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.
Описание
Freescale MRF7S18170HS — это N-канальный транзистор, выполненный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Freescale (ныне часть NXP Semiconductors). Он предназначен для использования в выходных каскадах мощных линейных усилителей, где требуются высокий коэффициент усиления, отличная линейность и надежность.
Ключевые особенности и применение:
- Основное назначение: Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций сотовой связи стандартов GSM, EDGE, CDMA, WCDMA, LTE, TD-SCDMA.
- Ключевые преимущества:
- Высокая линейность: Критически важна для современных цифровых модуляций с высоким коэффициентом пик-фактора (PAR), таких как OFDM (используется в LTE и 5G).
- Высокий коэффициент усиления мощности: Позволяет уменьшить количество каскадов усиления в тракте, упрощая конструкцию и снижая стоимость.
- Широкий динамический диапазон: Эффективная работа как на высокой, так и на низкой выходной мощности.
- Внутренняя согласованность: Частично согласован для входного импеданса 50 Ом, что упрощает проектирование ВЧ-цепи.
- Интегрированная защита: Встроенные стабилитроны для защиты затвора от статического электричества (ESD).
- Высокая надежность: Технология LDMOS обеспечивает высокую стойкость к несогласованности нагрузки (высокий КСВ) и устойчивость к перегрузкам.
Тип корпуса: Выполнен в популярном и технологичном корпусе Air-Cavity 270, который обеспечивает эффективный отвод тепла и низкие паразитные параметры.
Технические характеристики (основные)
При типичных условиях питания и рабочей точке (на примере 1800 МГаз):
| Параметр | Значение | Условия измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | до 1800 МГц | Оптимизирован для ~1800 МГц (DCS, PCS) | | Выходная мощность (Pout) | 180 Вт (пиковая) | При работе в режиме CW (непрерывный сигнал) | | КПД (Drain Efficiency) | > 40% | Типичное значение при номинальной мощности | | Коэффициент усиления (Gain) | > 17 дБ | Типичное значение на рабочей частоте | | Линейность (IMD3) | < -33 дБc | Для двухтонального сигнала, характеризует качество | | Рабочее напряжение (Vdd) | 28 В / 32 В | Стандартное напряжение питания для LDMOS | | Ток покоя (Idq) | ~ 1000 мА | Настраиваемый параметр для оптимизации линейности | | Класс усиления | Класс AB | Основной режим для линейного усиления | | Тепловое сопротивление (Rth) | ~ 0.3 °C/Вт | Характеризует эффективность отвода тепла | | Тип крепления | Flange (фланец) | Монтаж на радиатор через фланец корпуса |
Примечание: Все точные значения зависят от конкретной рабочей точки, частоты и схемы согласования. Необходимо руководствоваться официальным даташитом.
Парт-номера и аналоги
Компоненты часто имеют несколько номеров в зависимости от маркировки, упаковки или незначительных модификаций.
Прямые парт-номера и варианты:
- MRF7S18170HS — основное и полное коммерческое наименование.
- MRF7S18170HSR6 — скорее всего, обозначение для поставки на катушке (tape and reel) для автоматического монтажа. Буква
Rв конце часто указывает на это.
Совместимые и конкурирующие модели (аналоги):
При поиске замены или аналога необходимо сравнивать частотный диапазон, выходную мощность, напряжение питания, коэффициент усиления и схему цоколевки (pinout).
-
От того же производителя (NXP/Freescale):
- MRF7S18140H — менее мощная версия (140 Вт), но часто со схожей электрической и механической совместимостью.
- MRF7S21170H — модель, оптимизированная для диапазона 2100 МГц (UMTS), но может работать и на 1800 МГц с пересчитанной схемой.
- AFT09MS015NT1 / AFT09MS015N — более современные транзисторы NXP для схожего диапазона, но в корпусе OMNITRAY, с улучшенными показателями.
- Более старые серии: MRF6S (например, MRF6S21140H).
-
От других производителей (прямые аналоги требуют проверки по даташиту):
- Ampleon (ранее RF Power division NXP):
- BLF7G22LS-180 — аналог по мощности и частоте, Gen7 LDMOS.
- Серии BLF6G, BLF8G.
- Wolfspeed (Cree):
- CGH31240F — транзистор на основе GaN (нитрид галлия). Внимание: GaN-транзисторы имеют другие требования к смещению и управлению, прямая замена в существующей схеме обычно невозможна без серьезных доработок, но это технологическая альтернатива для новых разработок.
- MACOM (ранее Nitronex):
- MHT-2103N — GaN на Si, аналог по мощности.
- MHL-1936 — LDMOS.
- STMicroelectronics:
- PD57070S-E — LDMOS транзистор схожей мощности.
- Ampleon (ранее RF Power division NXP):
Важные замечания
- Не является plug-and-play: Замена даже на указанные аналоги от того же производителя требует обязательной проверки даташита, пересчета цепи смещения и, возможно, входной/выходной цепи согласования.
- Устаревание: MRF7S18170HS — проверенная, но уже не самая современная модель. Для новых проектов рекомендуется рассматривать более новые серии (Gen7, Gen8 от NXP/Ampleon или GaN от Wolfspeed/MACOM), которые предлагают лучший КПД и линейность.
- Рабочая точка: LDMOS-транзисторы критичны к правильному подбору напряжения смещения затвора (Vgs) и тока покоя (Idq) для достижения заявленных характеристик. Неправильная установка может привести к низкой линейности, перегреву или выходу из строя.
- Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности качественный теплоотвод и правильный момент затяжки крепежных винтов являются обязательными условиями надежной работы.
Рекомендация: Для проектирования или ремонта всегда используйте официальный даташит (Data Sheet) на конкретную модель, который можно найти на сайте NXP Semiconductors.