IXYS MDD71026N2

Описание и технические характеристики IXYS MDD71026N2

Описание:
IXYS MDD71026N2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в корпусе TO-252 (DPAK). Он предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, DC-DC конвертеров, управления двигателями и других приложений, где требуется высокое напряжение и ток.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая энергоэффективность

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 75 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 10 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 75 Вт | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Тип переключения | Enhancement Mode |

Парт-номера и совместимые аналоги:

• Прямые аналоги:
  • IRF3205 (International Rectifier)
  • FDP047N10 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • STP75NF75 (STMicroelectronics)
  • IRLB8721 (Infineon) – для менее мощных приложений
• Альтернативные модели от IXYS:
  • IXFH75N10P (100 В, 75 А, TO-247)
  • IXTH75N10P (100 В, 75 А, TO-264)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и драйверы

Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать различия в корпусах, R_DS(on) и температурных характеристиках.