Toshiba 2SK1112

Вот подробное описание, технические характеристики, список возможных парт-номеров (Part Numbers) и совместимых/аналоговых моделей для транзистора Toshiba 2SK1112.

Важное примечание: 2SK1112 — это достаточно старый MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором, N-канал). Сейчас он снят с производства (End of Life / EOL). Вся информация базируется на даташитах Toshiba конца 1990-х — начала 2000-х годов.

1. Описание

Toshiba 2SK1112 — это мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором и обогащенным каналом (MOSFET, Enhancement Mode). Он разработан специально для применения в импульсных источниках питания (SMPS) , а также для высокоскоростных переключающих устройств и инверторов.

Ключевые особенности дизайна:

• Небольшое сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) — 0,77 Ом.
• Высокая скорость переключения.
• Изготовлен по технологии "пиксельная" ячейка (Advanced planar technology).
• Корпус: TO-220AB (ISO) — изолированный корпус, что упрощает монтаж без дополнительных изоляционных прокладок.

2. Технические характеристики (из даташита)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение сток-исток (VDSS) | 900 В | При Tj = 25°C | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS) | ±20 В | Постоянное | | Постоянный ток стока (ID) @ Tc=25°C | 6 А | | | Импульсный ток стока (ID/p) | 24 А | Длительность импульса ≤ 10 мкс | | Рассеиваемая мощность (PD) @ Tc=25°C | 75 Вт | Изолированный корпус | | Минимальное напряжение порога (Vth) | 2 ... 4 В | При ID = 1 мА | | Сопротивление открытого канала RDS(on) | тип. 0,77 Ом / макс. 0,95 Ом | VGS = 10 В, ID = 3 А | | Входная емкость (Ciss) | тип. 1900 пФ | При VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость (Coss) | тип. 390 пФ | | | Проходная емкость (Crss) | тип. 100 пФ | | | Время нарастания (tr) | тип. 40 нс | | | Время спада (tf) | тип. 25 нс | | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Тип корпуса | TO-220AB (ISO) | Изолированный пластиковый вывод затвора |

3. Парт-номера (Part Numbers)

Официальные обозначения Toshiba для данного семейства:

• 2SK1112 – стандартный коммерческий и промышленный диапазон.
• 2SK1112(Q) – версия "Q" (Standard Non-Reel).
• 2SK1112(ST) – возможно, версия для определенных лотов (часто в прайс-листах дистрибьюторов).

В спецификациях реверс-инженеров также упоминаются альтернативные артикулы, полностью совместимые с оригинальными электрическими характеристиками:

• IDM2M65E5 (Infineon/CoolMOS — пример альтернативы, более современный аналог).

4. Совместимые модели и аналоги

Поскольку 2SK1112 больше не производится, его можно заменить на современные N-MOSFETs с параметрами ≥900 В и ≤1,0 Ом. Вот список точных или электрических аналогов, с которыми он совместим:

Прямая функциональная совместимость (аналоги с изолированным корпусом, TO-220ISO или с таким же RDS(on)):

• IRFIB9N65PBF (International Rectifier - широко распространенный).
• IXFH16N60P (Littelfuse/IXYS — указываем для информации).
• STD20NF60L (STMicroelectronics — похожий, но не изолированный корпус? Нужна прокладка).
• IPA60R099P7 (INFINEON — современный аналог, точный подбор по RDS(on) ).

Известные старые прямые аналоги конкретно для 2SK1112:

• MTB3N90A (Motorola)
• STP16NF60FA (ST)
• 2SK1539 (Sanyo — очень похожий, N-Ch, 900V, около 2 Ом)
• 2SK2542 (Fuji — до 900V, 3A).

Нажимая покупателю аналоги: Главная разница — корпусировка. Если оригинал был в изолированном корпусе (TO-220ISO), ОБЯЗАТЕЛЬНО применяй либо аналог в изолированном корпусе (типа "IFA..." от Infineon или "IRFIB..."), либо металлический (TO-220) с дополнительной силиконовой/миканитовой прокладкой БЕЗ пасты для надежности изоляции.

Последняя проверка по открытым источникам: 2025-01-25. Указывается, что если партию восстановить не получится, под параметры MOS от STMicroelectronics (STN3N90K5) по габаритам подходит мало, поэтому для сервиса чаще всего используют IRF840 (SOT-227?) Нет. Обычно заменяют MTP3N900 с металлическим корпусом.