Semiconductor 2SK1382

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах для транзистора 2SK1382.

Описание

2SK1382 — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с изолированным затвором, предназначенный для работы в сильноточных высокоскоростных цепях переключения в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях постоянного тока, ШИМ-регуляторах, драйверах моторов и инверторах.

Ключевой особенностью является низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) — всего 0.84 Ом при напряжении затвор-исток Vgs = 10 В, что обеспечивает высокий КПД при токе до 10 А. Транзистор выпускается в корпусе TO-220AB, что удобно для монтажа на радиатор.

Технические характеристики (Datasheet)

Значения приведены для температуры корпуса Tc=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Символ | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение сток-исток | Vdss | 500 | В | | Максимальный постоянный ток стока | Id | 10 | А | | Максимальный импульсный ток стока | Idm | 30 | А | | Напряжение насыщения сток-исток | Vgs(th) | 2.0…4.0 | В | | Максимальная рассеиваемая мощность | Pd | 75 | Вт | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | 0.84 (тип. при Vgs=10В, Id=5А) | Ом | | Входная емкость (типовая) | Ciss | 750 | пФ | | Время нарастания (типовое) | Tr | 25 | нс | | Время спада (типовое) | Tf | 25 | нс | | Диапазон рабочей температуры корпуса | Tch | -55…+150 | °C |

Электрические характеристики (предельные)

• Vgs (макс) -20…+20 В
• Vdgo (напряжение при нулевом токе затвора) — см. Vdss (500В)

Совместимые парт-номера (аналоги)

К сожалению, 2SK1382 является устаревшей и сложной для поиска моделью. Прямой современной замены без доработки схемы может не быть по полному набору динамических параметров. Однако с учетом ключевых параметров (Va-Ia-R-on) подойдут следующие популярные современные транзисторы (при условии соответствия и цоколевки G-D-S):

1. STP10NK50ZFP (STMicroelectronics) — TO-220FT. Vdss=500В, Id=10А, Rds(on)=0.85 Ом. Очень близкий аналог.
2. STP10D5UM (ST) — Vdss=500В, Id=10А, Rds(on)=0.75 Ом. Прямая замена в тиротипа до первых партий.
3. IRFP450 — не путать с 20N50. Если нужен железный буфер обратного дома и индукций — запас компонентны (стандартный «золойный усистнен P-MOS»).
4. R6010ANX — корейский/кипинг MOSFET. Почти зеркальный ID=10A, Vdss=600В, Rds(on)~0.8 Ом. Продан полностью под восстающие к нагрузкам.
5. K1382 original OEM part numbers — это 2SK1382-Q (Sanken, до перессы).

Типовые старые ODM/Potential part-holders:

• Sanken Electric Co., Ltd — первичный origin-datrsheet по документации (иногда к этому рекавери относят более ранний прескрипт SQW).
• AMI / AUK — проритом ODM производителя компонентов.

Логи девайсов (Device Suffixes)

Совестимые точные ссылки в директ-тум поиска Aliexpress/LCSC/eBay:

• 2SK1382-VB
• 2SK1382-FJ
• 2SK1382J(C,N)

Ссылки на альтернативные (real cross)

Для внутренности схем будет также фитить (слегка меньший Imax, но напряжение и характеристики компенсируют):

• IRF510 если большой ток 5A не нужн
• IRF740 / VISHAY 6N60 / SSM5H* (но почти всегда есть транс)

Главная предосторожность: Эти транзисторы выпускались при свойских комбинациях 1996-2004. Проверка получачальства старых УА используются по разберу вала в теплом делу москильных зачатловников.