Eupec BSM10GP60

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Eupec BSM10GP60.

Общее описание

Eupec BSM10GP60 — это полностью управляемый силовой полупроводниковый модуль, представляющий собой IGBT-транзистор с обратным диодом (так называемый "IGBT модуль" или "IGBT-сборка"). Он относится к классическому поколению IGBT (NPT-технология), широко применявшемуся в 1990-х - начале 2000-х годов.

• Назначение: Модуль предназначен для использования в силовых электронных преобразователях, таких как:
  • Частотные преобразователи (инверторы) для управления электродвигателями.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Сварочное оборудование.
  • Индукционные нагреватели.
• Конструкция: Выполнен в классическом изолированном корпусе SEMIPACK 1. Этот корпус обеспечивает электрическую изоляцию (до 2500 В) между силовыми выводами и монтажной базой (радиатором), что упрощает установку и отвод тепла.
• Состав: Модуль содержит один IGBT-транзистор и один антипараллельный диод (Freewheeling Diode - FWD), подключенный встречно-параллельно. Это стандартная конфигурация для одного силового ключа в инверторе.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Номинальные параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

1. Напряжение:

   • V_CES (коллектор-эмиттерное напряжение): 600 В
   • V_GES (напряжение затвор-эмиттер): ±20 В (макс.)

2. Ток:

   • I_C (ном.) (номинальный ток коллектора при 80°C): 10 А
   • I_CP (импульсный ток коллектора, 1 мс): 20 А
   • I_F (ном.) (номинальный ток диода): 10 А

3. Параметры IGBT:

   • V_CE(sat) (насыщающее напряжение коллектор-эмиттер): 2.8 В (тип., при I_C=10A, V_GE=15В)
   • E_on / E_off (энергия включения/выключения): ~ 0.6 мДж / 0.3 мДж (при типовых условиях)
   • Время включения/выключения (t_on / t_off): ~ 0.3 мкс / 0.8 мкс

4. Параметры диода:

   • V_F (прямое падение напряжения на диоде): 2.1 В (тип., при I_F=10A)

5. Тепловые параметры:

   • Макс. температура перехода (T_vj): 150 °C
   • Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 1.5 К/Вт (и для IGBT, и для диода)

6. Управление:

   • Пороговое напряжение затвора V_GE(th): 4.0 - 6.0 В
   • Рекомендуемое напряжение управления (V_GE): +15 В для открытия, -5...-15 В для надежного закрытия.
   • Заряд затвора (Q_g): ~ 45 нКл (тип.)

Парт-номера и прямые аналоги

Модуль выпускался под несколькими номерами, в зависимости от производителя и степени селекции параметров. BSM10GP60 — это базовая часть номера.

Основные парт-номера:

• BSM10GP60 (стандартный)
• BSM10GP60D (возможно, с дополнительным внутренним термистором для контроля температуры, но это требует уточнения по даташиту)
• BSM10GP60-12D

Прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками и таким же корпусом SEMIPACK 1):

• Eupec / Infineon: BSM10GP60D, BSM10GP60-12D.
• Semikron: SKM10GB063D (наиболее популярный и распространенный аналог). SKM10GB063D является практически полным функциональным и конструктивным аналогом.
• Fuji Electric: 1MBH10-060 (также очень близкий аналог в похожем корпусе).
• Powerex (Mitsubishi): PM10CSJ060 (аналог в корпусе, возможно, с небольшими отличиями в монтаже).
• IXYS (Littelfuse): MIG10N060 (более современный аналог, но может иметь отличия в характеристиках).

Совместимые модели и замена

При поиске замены необходимо учитывать три ключевых аспекта:

1. Электрические характеристики: Напряжение (600В) и ток (10А). Можно брать аналог с теми же или большими значениями (например, 15-20А при том же напряжении), если позволяет конструктив и схема управления.
2. Корпус и монтаж: SEMIPACK 1 имеет стандартную геометрию и расположение выводов. Прямые аналоги (как Semikron SKM10GB063D) имеют идентичное крепление и расположение клемм.
3. Схема включения: BSM10GP60 — одиночный транзистор (1 в 1). Его можно заменить только на модуль с такой же конфигурацией (1 IGBT + 1 диод), а не на двухключевые (полумостовые) или другие сборки.

Что можно использовать для замены (в порядке предпочтительности):

1. Идеальная замена (drop-in replacement):

   • Semikron SKM10GB063D (наиболее вероятный и доступный вариант на рынке).
   • Другие модули с маркировкой 10А, 600В в корпусе SEMIPACK 1.
   • Оригинальный BSM10GP60 (если удастся найти).

2. Замена на модуль с лучшими параметрами (при наличии места и совпадении корпуса):

   • BSM15GP60 / SKM15GB063D (15А, 600В, тот же корпус).
   • Более современные аналоги, например, с использованием IGBT третьего поколения (Trench Stop), которые имеют меньшее падение напряжения и меньшие потери. Но здесь важно проверить совместимость по управлению (заряд затвора, рекомендации по драйверу).

3. Замена на дискретные компоненты (в крайнем случае, если модуль не найден):

   • Можно собрать ключ из отдельного IGBT-транзистора (например, IRG4PH40UD или аналог на 600В, 20А) и отдельного быстрого диода (например, RHRP30120), установив их на общий радиатор через изолирующие прокладки. Это менее надежно и более трудоемко, но функционально.

Важное предупреждение: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (техническими описаниями) обоих модулей, особенно разделы Mechanical Drawing (габариты и отверстия) и Gate Drive Recommendations (требования к драйверу). При установке нового модуля обязательно используйте теплопроводную пасту и соблюдайте момент затяжки винтов.